KRI 霍爾離子源 eH 2000

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KRI 霍爾離子源 eH 2000
上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強(qiáng)大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 1高等
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系前體

KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 與 eh 1000 對(duì)比, 提供更高的離子輸出電流
• 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 較大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 非常高真空系統(tǒng); 安裝方便
• **的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術(shù)參數(shù)

• 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
  
  KRI 霍爾離子源 eH2000 應(yīng)用領(lǐng)域
  •  離子輔助鍍膜 IAD
  •  預(yù)清洗 Load lock preclean
  •  預(yù)清洗 In-situ preclean
  •  Direct Deposition
  •  Surface Modification
  •  Low-energy etching
  •  III-V Semiconductors
  •  Polymer Substrates
  
  1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)****. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源 (離子槍) 中國(guó)總代理.

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