產(chǎn)品描述
因產(chǎn)品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。
KRI 考夫曼離子源 KDC 40
上海伯東代理國外進口進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層?xùn)艠O. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術(shù)參數(shù)
|
型號 |
KDC 40 |
|
供電 |
DC magnetic confinement |
|
- 陰極燈絲 |
1 |
|
- 陽極電壓 |
0-100V DC |
|
電子束 |
OptiBeam™ |
|
- 柵極 |
專用, 自對準 |
|
-柵極直徑 |
4 cm |
|
中和器 |
燈絲 |
|
電源控制 |
KSC 1202 |
|
配置 |
- |
|
- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
|
- 架構(gòu) |
移動或快速法蘭 |
|
- 高度 |
6.75 |
|
- 直徑 |
3.5 |
|
- 離子束 |
集中 |
|
-加工材料 |
金屬 |
|
-工藝氣體 |
惰性 |
|
-安裝距離 |
6-18” |
|
- 自動控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
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