產(chǎn)品描述
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KRI 考夫曼離子源 KDC 75
上海伯東代理國(guó)外進(jìn)口進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內(nèi), 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個(gè)陰極燈絲, 其中一個(gè)作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 250 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術(shù)參數(shù)
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型號(hào) |
KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出) |
|
供電 |
DC magnetic confinement |
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- 陰極燈絲 |
2 |
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- 陽(yáng)極電壓 |
0-100V DC |
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電子束 |
OptiBeam™ |
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- 柵極 |
專用, 自對(duì)準(zhǔn) |
|
-柵極直徑 |
7.5 cm |
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中和器 |
燈絲 |
|
電源控制 |
KSC 1212 或 KSC 1202 |
|
配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
|
- 安裝 |
移動(dòng)或快速法蘭 |
|
- 高度 |
7.9 |
|
- 直徑 |
5.5 |
|
- 離子束 |
聚焦 |
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-加工材料 |
金屬 |
|
-工藝氣體 |
惰性 |
|
-安裝距離 |
6-24” |
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- 自動(dòng)控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 一個(gè)陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
客戶案例: 非常高真空離子刻蝕機(jī) IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置
美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 75
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