Anhui BEQ Equipment Techonology Co., Ltd
主營:管式爐,箱式爐,CVD系統(tǒng),PECVD系統(tǒng),升華儀
主要特點(diǎn)
一、智能型雙溫區(qū)等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)備的高溫真空電阻爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負(fù)反饋控制系統(tǒng),控溫儀表選用智能型程序溫度調(diào)節(jié)儀表控溫,電力調(diào)制器控制;負(fù)載采用小電壓大電流控制,從而大大提高了發(fā)熱元件的壽命,測溫元件采用 K 型熱偶。30段可編程控溫,PID參數(shù)自整定,操作界面為10寸工控電腦,內(nèi)置PLC控制程序,可將溫控系統(tǒng)、滑軌爐滑動(時間和距離)設(shè)定為程序控制。同時系統(tǒng)設(shè)置了超溫、 欠溫、斷偶啟動緊急信號保護(hù)功能,大大降低了對操作人員經(jīng)驗(yàn)的要求,關(guān)鍵電氣元件采用優(yōu)質(zhì)的進(jìn)口產(chǎn)品,做到高性能、免維護(hù),提高了設(shè)備質(zhì)量的可靠性。
二、PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式,低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡單。
三、配有可加熱到400℃的前端預(yù)加熱爐,輔助固態(tài)源蒸發(fā),后端為雙溫區(qū) ,溫度控制jingque,操作簡便,對于氣相沉積,二維材料,等離子處理生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗(yàn)。
技術(shù)參數(shù)
預(yù)熱器參數(shù): | 工作溫度:400℃ zui高溫度:1100℃ zui快升溫速率:≤30℃/min 推薦升溫速率:10℃/min 控溫方式:智能化30段可編程控制 工作電壓:AC220V 額定功率:800W 控溫精度:?1℃ 加熱元件:電阻絲 |
加熱區(qū)參數(shù): | 加熱元件:電阻絲(Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo) zui大升降溫速率:≤30℃/min 爐管:高純度石英管Φ25\50\60\80\100\150x2000mm (管徑可選) 標(biāo)準(zhǔn)配件:石英管1支,莫來石管堵2對,不銹鋼法蘭1套,氟膠密封圈2套,高溫手套1副,坩堝鉤1支; 尺寸約:2000?600?1500 mm(長、寬、高) 備注:可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等加熱區(qū)。 |
氣路系統(tǒng)參數(shù): | 質(zhì)量流量計(jì)參考量程(N2):100sccm、200sccm、500sccm (量程可選) 準(zhǔn)確度:?1.5% 線性:?0.5~1.5% 重復(fù)精度:?0.2% 響應(yīng)時間:氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec 工作壓差范圍:0.1~0.5 MPa zui大壓力:3MPa 接口:Φ6,1/4'' 顯示:4位數(shù)字顯示 工作環(huán)境溫度:5~45高純氣體 內(nèi)外雙拋不銹鋼管:Φ6 壓力真空表:-0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格 截止閥:Φ6 連接頭類型:雙卡套不銹鋼接頭。 備注:可選配一路、兩路、三路、四路等以上質(zhì)量流量計(jì)。 |
低真空系統(tǒng)參數(shù): | 國產(chǎn)油泵型號:BSV-10 抽速:10m?/h 較限真空度:5*10-1pa 電源:220v 50hz 電機(jī)功率:0.4kw 進(jìn)排氣連接口:KF25 用油量:1.1L 電機(jī)轉(zhuǎn)速:1440rpm 工作環(huán)境溫度:5-40℃ 噪音:≤56db 電阻真空計(jì)參數(shù): 1.配用規(guī)管:ZJ-52T電阻規(guī), 2.測量范圍: 10 5 ~10 -1 Pa, 3.測量路數(shù): 1路 4.控制范圍: 5?10 3 ~5?10 -1 Pa, 5.控制方式:繼電器觸點(diǎn)輸出,負(fù)載能力 AC220V/3A (或DC28V/3A)無感負(fù)載, 6.電源: 90-260V/50Hz或220V ? 10% 50Hz, 7.功耗: 20W |
射頻源主要參數(shù): | 信號頻率:13.56 MHz?0.005% 功率輸出范圍:0-500W zui大反射功率:100W 射頻輸出接口:50 Ω, N-type, female 功率穩(wěn)定性:≤5W 諧波分量:≤-50dbc 供電電壓:單相交流(187V-253V) 頻率50/60HZ 整機(jī)效率:>=70% 功率因素:>=90% 冷卻方式:強(qiáng)制風(fēng)冷 備注:可根據(jù)腔體大小選擇射頻源功率。 |
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